主要職責(zé)
中國(guó)科學(xué)院貫徹落實(shí)黨中央關(guān)于科技創(chuàng)新的方針政策和決策部署,在履行職責(zé)過程中堅(jiān)持黨中央對(duì)科技工作的集中統(tǒng)一領(lǐng)導(dǎo)。主要職責(zé)是:
一、開展使命導(dǎo)向的自然科學(xué)領(lǐng)域基礎(chǔ)研究,承擔(dān)國(guó)家重大基礎(chǔ)研究、應(yīng)用基礎(chǔ)研究、前沿交叉共性技術(shù)研究和引領(lǐng)性顛覆性技術(shù)研究任務(wù),打造原始創(chuàng)新策源地。 更多+
院況簡(jiǎn)介
中國(guó)科學(xué)院是國(guó)家科學(xué)技術(shù)界最高學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)、國(guó)家科學(xué)技術(shù)思想庫(kù),自然科學(xué)基礎(chǔ)研究與高技術(shù)綜合研究的國(guó)家戰(zhàn)略科技力量。
1949年,伴隨著新中國(guó)的誕生,中國(guó)科學(xué)院成立。建院70余年來,中國(guó)科學(xué)院時(shí)刻牢記使命,與科學(xué)共進(jìn),與祖國(guó)同行,以國(guó)家富強(qiáng)、人民幸福為己任,人才輩出,碩果累累,為我國(guó)科技進(jìn)步、經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和國(guó)家安全作出了不可替代的重要貢獻(xiàn)。 更多+
院領(lǐng)導(dǎo)集體
機(jī)構(gòu)設(shè)置
科技獎(jiǎng)勵(lì)
科技期刊
工作動(dòng)態(tài)/ 更多
科普?qǐng)鲳^/ 更多
工作動(dòng)態(tài)/ 更多
中國(guó)科學(xué)院學(xué)部
中國(guó)科學(xué)院院部
語音播報(bào)
近期,中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院聯(lián)合中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)等,在黃銅礦基熱電材料研究方面取得進(jìn)展。研究團(tuán)隊(duì)通過Ag/In合金化技術(shù),在黃銅礦基熱電材料中引入電荷平衡的雙反位錯(cuò)缺陷。該電中性雙反位錯(cuò)缺陷在提升載流子濃度的同時(shí)保持載流子遷移率,并通過In合金化誘導(dǎo)的合金無序散射與納米疇之間的相互作用增強(qiáng)聲子散射,進(jìn)而抑制晶格熱導(dǎo)率。
熱電材料能夠高效將熱能轉(zhuǎn)化為電能,是能源領(lǐng)域研究熱點(diǎn),其性能由無量綱優(yōu)值ZT=S2σT/κ決定。高性能熱電材料需同時(shí)滿足高電導(dǎo)率、高塞貝克系數(shù)和低熱導(dǎo)率。但是,熱電材料中電子與聲子的調(diào)控參數(shù)具有強(qiáng)耦合特性,難以協(xié)同調(diào)控,制約材料性能提升。當(dāng)前的主要問題在于,保持甚至增強(qiáng)材料固有電輸運(yùn)性能的同時(shí)抑制熱輸運(yùn),這也是性能突破的關(guān)鍵。
研究團(tuán)隊(duì)通過銦合金化技術(shù),在Cu0.7Ag0.3GaTe2體系中引入電荷平衡的雙反位缺陷。在Cu0.7Ag0.3Ga1-xInxTe2體系中,Cu/Ag與Ga/In的原子比例偏離嚴(yán)格的1:1化學(xué)計(jì)量比,這種固有的化學(xué)計(jì)量偏差為反位缺陷的形成提供了熱力學(xué)驅(qū)動(dòng)力。熱力學(xué)分析表明,Ag與Cu之間存在互溶性間隙,易發(fā)生相分離。因此,為實(shí)現(xiàn)原子尺度的均勻混合、抑制Ag-Cu相分離并形成均勻固溶體,需要促進(jìn)反位缺陷形成。此外,由于Cu、Ag、Ga和In四種元素的原子半徑相近,反位缺陷引起的晶格畸變較小,相應(yīng)的缺陷形成能壘也相對(duì)較低,為雙反位缺陷的穩(wěn)定存在提供了有利條件。這種雙反位缺陷解耦了聲子散射與載流子散射機(jī)制,在保持高載流子濃度的同時(shí)提升了載流子遷移率。結(jié)果表明,雙反位缺陷增加了載流子有效質(zhì)量,提升了價(jià)帶頂附近的態(tài)密度,并優(yōu)化了塞貝克系數(shù)。同時(shí),由銦合金化引發(fā)的合金無序散射和納米級(jí)疇結(jié)構(gòu)等復(fù)雜微觀結(jié)構(gòu),增強(qiáng)了聲子散射效應(yīng)。多種聲子散射機(jī)制的協(xié)同作用使Cu0.7Ag0.3Ga1-xInxTe2(x=0-0.5)的熱導(dǎo)率降低。Cu0.7Ag0.3Ga0.6In0.4Te2在873K時(shí)實(shí)現(xiàn)2.03的ZT值(零溫差),在300K-873K溫度范圍內(nèi)平均ZT值達(dá)0.61,較純CuGaTe2提升約59%,實(shí)現(xiàn)了熱電性能的突破。
這一雙反位缺陷策略改變了點(diǎn)缺陷工程的格局,并打破了電輸運(yùn)與熱輸運(yùn)長(zhǎng)期存在的權(quán)衡關(guān)系。
相關(guān)研究成果發(fā)表在《美國(guó)化學(xué)會(huì)志》(JACS)上。研究工作得到國(guó)家自然科學(xué)基金和國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等的支持。
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