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記者從中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉：該校張樹辰特任教授團(tuán)隊(duì)聯(lián)合中外學(xué)者，在新型半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。團(tuán)隊(duì)首次在二維離子型軟晶格材料中，實(shí)現(xiàn)了面內(nèi)可編程、原子級(jí)平整的“馬賽克”式異質(zhì)結(jié)的可控構(gòu)筑，為未來高性能發(fā)光和集成器件的研發(fā)開辟了新路徑。相關(guān)成果近日在線發(fā)表于國(guó)際學(xué)術(shù)期刊《自然》。

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，能夠在材料平面內(nèi)橫向精準(zhǔn)構(gòu)建異質(zhì)結(jié)構(gòu)，是探索新奇物性、研發(fā)新型器件及推動(dòng)器件微型化的關(guān)鍵。然而，以二維鹵化物鈣鈦礦為代表的離子型軟晶格半導(dǎo)體，其晶體結(jié)構(gòu)柔軟且不穩(wěn)定，傳統(tǒng)光刻加工等技術(shù)往往因反應(yīng)過于劇烈而破壞材料結(jié)構(gòu)，難以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的橫向異質(zhì)集成。如何在此類材料中實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量、可控外延的橫向異質(zhì)結(jié)精密加工，是該領(lǐng)域面臨的難題。

面對(duì)這一挑戰(zhàn)，中國(guó)科大研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地提出并發(fā)展了一種引導(dǎo)晶體內(nèi)應(yīng)力“自刻蝕”方法，將不同種類的半導(dǎo)體材料精準(zhǔn)回填，最終在單一晶片內(nèi)部構(gòu)筑出晶格連續(xù)、界面原子級(jí)平整的高質(zhì)量“馬賽克”異質(zhì)結(jié)。

（原載于《人民日?qǐng)?bào)》?2026-01-24?06版）